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반도체인프라

화합물반도체 광융합 나노공정센터
  • 용도 : 100/1000 class 화합물 반도체 공정
  • 면적 : 400
  • 장비 : 44대
    • 박막 : MBE, MOCVD, sputter, PECVD, ALD, evaporators
    • 노광 : E-beam litho, hologram litho, photolitho / 식각:RIE, ICP-RIE
    • 후속 : CMP, lapping polishing, dicing machine
    • 분석 : EL, PL & Raman, SEM, surface profiler, ellipsometer
  • 주요 연혁 :
    • 1996 클린룸 준공
    • 1997 한국연구재단 우수연구센터 지원 프로그램 선정, 초고속 광네트워크연구센터(UFON)
    • 2019 후속공정실 증설 / GIST 중앙연구기기센터 설치
    • 2020 KIAT 반도체 인프라 구축 지원사업(참여) 선정, 클린룸 관리실 증설
    • 2021 NRF 대학 나노인프라 구축 지원사업(참여) 선정, 물성분석실 증설
    • 2022 GIST 화합물반도체 광융합 나노공정센터(G-NICS)로 승격
    • 2023 AI반도체 첨단 공정 팹 사업 지원
AI반도체 첨단공정 팹

2026년 완공 목표

  • 용도 : 100/10000 class 6인치 팹 인프라
  • 면적 : 5,520㎡(팹 전용 3,312㎡)
  • 장비 : AI반도체 실현을 위한 Fan-out, Heterogeneous Integration 기술개발 및 차세대 반도체 후공정 분야의 인프라, 인력양성, 기업지원 및 연구개발